不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5890pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.79W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 14.9A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-DSO-8

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：136nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：P-Channel

Id-连续漏极电流：14.9A

Rds On-漏源导通电阻：8mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：-102nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：2.5W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：1.75mm

长度：4.9mm

系列：OptiMOSP

晶体管类型：1P-Channel

宽度：3.9mm

正向跨导 - 最小值：44S

下降时间：110ns

上升时间：22ns

典型关闭延迟时间：130ns

典型接通延迟时间：15ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs